[주목할 우수 산업기술]'극자외선 노광 기술'

[주목할 우수 산업기술]'극자외선 노광 기술'

한양대학교 산학협력단 '극자외선 노광 기술(EUV lithography, EUVL)'은 13.5nm EUV광을 사용해 14nm 반피치(half-pitch)를 가지는 메모리 소자를 구현하는 차세대 노광 기술이다.

대기를 포함한 대부분 물질은 EUV광에 높은 흡수도를 가진다. 고진공 환경을 필요로 한다. 기술은 기존 투과형 광학계와 달리 반사형 광학계로 구성됐다. 광원이 일정한 각도를 가지고 마스크에 사입사 하는 구조다.

EUVL은 기존 노광기술에 사용되는 파장보다 짧아진 파장을 사용해 해상력을 향상시킨다. 다만 최종 전사 패턴에 영향을 주는 결함 크기가 수십 나노미터 단위로 작아져 공정 중 발생하는 결함 제어가 필요하다. 노광 공정 중 발생하는 오염입자를 효과적으로 제어하기 위해 EUVL용 펠리클 개발이 큰 이슈로 대두된다.

기술은 그래핀을 복합구조체 박막 구성 요소로 사용해 박막 기계적 특성을 강화한다. 대면적 그래핀 다결정성으로 인한 기계적 특성 저하를 보완하는 기술을 제시한다.

노광 시스템 이해를 바탕으로 핸들링 시 파손될 확률이 높은 대면적 펠리클 박막 대신 실질적으로 공정에 필요한 부분만을 투과형 박막으로 제작한다. 펠리클 제작 공정 수율, 운송 용이성을 확보한 펠리클 구조체를 제시한다.

장윤형 기자 why@etnews.com

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